RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB против G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.5
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
14900
Около 1.14 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
14.4
Скорость записи, Гб/сек
11.3
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
17000
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2696
2856
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link