RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Compara
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
64
En -167% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
24
Velocidad de lectura, GB/s
6.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1260
2843
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link