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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Compara
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
45
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
45
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.9
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1647
2142
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
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