RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Porównaj
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
45
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
45
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
10.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.9
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1647
2142
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link