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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
58
En -115% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
6400
En 3.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
23400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3245
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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