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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
58
En -57% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3419
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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