RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
58
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3419
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link