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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
58
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
2,107.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2404
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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