RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3078
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link