RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
58
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
13.8
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
2404
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link