Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Puntuación global
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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.2 left arrow 10.8
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    32 left arrow 34
    En -6% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 7.6
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    34 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.2 left arrow 10.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.6 left arrow 8.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2245 left arrow 2349
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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