Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11.2 left arrow 10.8
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    32 left arrow 34
    Intorno -6% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.5 left arrow 7.6
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    34 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.2 left arrow 10.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.6 left arrow 8.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2245 left arrow 2349
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti