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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Confronto
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
106
122
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.4
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.8
2,069.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
106
122
Velocità di lettura, GB/s
3,273.7
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,069.2
5.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
734
1411
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Confronto tra le RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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