RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Gesamtnote
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
106
122
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
2,069.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
106
122
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,273.7
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,069.2
5.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
734
1411
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB RAM-Vergleiche
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link