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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Comparez
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Note globale
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.2
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
34
Autour de -6% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
10.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2245
2349
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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