RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Compara
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
49
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
11.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
36
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2534
2664
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Informar de un error
×
Bug description
Source link