RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
49
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2534
2664
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link