RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Comparar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
49
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
11.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
36
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2534
2664
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link