RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
77
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3299
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link