RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3299
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-003.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link