Comparación de la memoria RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Puntuación global

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

35 37

En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.8 13.9

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.2 9.9

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2336 2389

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns