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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Compara
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
37
Velocidad de lectura, GB/s
14.8
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2336
2389
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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