Comparación de la memoria RAM Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Puntuación global

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

32 35

En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.9 15.4

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.0 11.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 19200

En 1.11 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2713 2952

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns