Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    32 left arrow 35
    Intorno -9% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.9 left arrow 15.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.0 left arrow 11.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 19200
    Intorno 1.11 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    35 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.4 left arrow 15.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.3 left arrow 12.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2713 left arrow 2952
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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