RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
51
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
15.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3226
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link