RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
51
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
15.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
34
Velocità di lettura, GB/s
15.6
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3226
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link