RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
51
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3462
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link