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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
51
En -16% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
44
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2374
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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