RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
51
Около -16% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
44
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
10.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2374
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link