RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
15
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
51
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2654
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link