RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
59
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
23400
En 1.09% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
15.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
59
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
23400
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2382
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link