RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
59
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
23400
Wokół strony 1.09% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
59
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
23400
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2382
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link