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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
59
左右 14% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
23400
左右 1.09% 更高的带宽
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
15.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
59
读取速度,GB/s
15.6
20.1
写入速度,GB/s
11.8
10.6
内存带宽,mbps
25600
23400
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2382
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
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