RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
51
En -96% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2670
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link