RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2670
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link