RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
60
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
4.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
60
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
6.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
4.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
1400
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link