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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
41
En -128% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
18
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1335
3814
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
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