RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
41
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
18
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
3814
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link