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Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Compara
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
42
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
18
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
2422
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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