RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Compara
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Puntuación global
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1959
3392
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link