RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Gesamtnote
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1959
3392
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link