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Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Compara
Mushkin 991586 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Puntuación global
Mushkin 991586 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991586 2GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.7
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
23.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2156
4124
Mushkin 991586 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
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