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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Compara
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Puntuación global
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
63
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
34
Velocidad de lectura, GB/s
7.7
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1130
3343
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
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