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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
63
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
34
读取速度,GB/s
7.7
20.3
写入速度,GB/s
5.0
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
3343
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
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Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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