RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Comparar
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Pontuação geral
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
63
Por volta de -85% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
34
Velocidade de leitura, GB/s
7.7
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1130
3343
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link