RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Compara
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1952
3098
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
UMAX Technology 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-198.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link