RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
94
En 61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
94
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
1699
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link