RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
43
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
42
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2701
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link