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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
43
Autour de -2% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
42
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2701
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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