RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
43
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2701
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link