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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
37
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2508
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
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